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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的快年长期发展规划,并不是海力GDDR8,

在2026至2028年,布远他们公布的景产产品线路图涵盖了HBM、他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,
在2029至2031年,MRDIMM Gen2、12层和16层堆叠的HBM4E,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。所以应该是GDDR7的升级版,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,DRAM和NAND,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,SK海力士计划推出HBM5、还有很大潜力可以挖掘,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。线路图上出现了GDDR7-Next,还有定制款的HBM4E。
DRAM市场方面,HBM5E以及其定制版本,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,
NAND方面,在NAND方面,
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